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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.67 |
10+ | $0.594 |
100+ | $0.4554 |
500+ | $0.36 |
1000+ | $0.288 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 9-DSBGA |
Serie | NexFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 162mOhm @ 1A, 1.8V |
Leistung - max | 700mW |
Verpackung / Gehäuse | 9-UFBGA, DSBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 595pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.9A |
Konfiguration | 2 P-Channel (Dual) Common Source |
Grundproduktnummer | CSD75207 |
CSD75207W15 Einzelheiten PDF [English] | CSD75207W15 PDF - EN.pdf |
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
TI DSBGA-12
PROTOTYPE
CSD68872Q5D TI
TI WSON6
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA
PROTOTYPE
CSD75203W1015 TI
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
TI BGA6
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
PROTOTYPE
PROTOTYPE
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
PROTOTYPE
2024/09/11
2024/05/13
2024/08/25
2024/05/10
CSD75207W15 |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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